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封装用IGBT测试仪现货供应常用指南「华科智源」

来源:华科智源 更新时间:2021-06-15 02:33:00

以下是封装用IGBT测试仪现货供应常用指南「华科智源」的详细介绍内容:

封装用IGBT测试仪现货供应常用指南「华科智源」[华科智源15a75b6]

11)动态测试续流二极管

用于防止测试过程中的过电压。

?压降小于1V

?浪涌电流大于20kA

?反向恢复时间小于2μs

?工作温度 室温~40℃

?工作湿度

12)安全工作区测试续流二极管

?浪涌电流 大于20kA

?反向恢复时间 小于2μS

?工作温度 室温~40℃

?工作湿度

13)被测器件旁路开关

被测安全接地开关,设备不运行时,被测接地。

?电流能力 DC 50A

?隔离耐压 15kV

?响应时间 150ms

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4MPa

?工作温度 室温~40℃

?工作湿度

用于安装固定试验回路及单元;主要技术参数要求如下;

?风冷系统;

?可显示主要电气回路参数及传感器测量值;

?可直观监视试验过程,并可兼容高温摄像头;

?防护等级:IP40。

?面板按钮可以进行紧急操作

?机柜颜色:RAL7035

17)压接夹具及其配套系统

?工作压力范围:5~200kN;分辨率0.1kN

?上下极板不平行度小于20μm

?极板平整度小于10μm

?压力可连续调节,施加压力平稳,不可出现加压时压力过冲

?安全技术要求:满足GB 19517—2009国家电气设备安全技术规范;

?测试工作电压:10kV(整体设备满足GB 19517—2009标准外,局部绝缘电压应满足测试需求)

18)其他辅件

静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号 名称 型号 单位 数量1 半导体静态及动态测试系统 HUSTEC-2010 套 11范围本技术规范提出的是限度的要求,并未对所有技术细节作出规定,也未充分引述有关标准和规范的条文,供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。数据提取:测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式,特别是动态测试波形可存储为数据格式。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时,应按较高标准执行。

9)尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量 200μF?分布电感 小于10nH?脉冲电流 2kA ?9A±3%±50mA10A~50A±3%±1A3、EA:10mJ~20J10mJ~1000mJ±3%±1mJ1J~20J±3%±10mJ4、脉冲宽度:40—1000uS可设定5、测试频率:单次2。工作温度 室温~40℃?工作湿度<70% 11)动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μs?工作温度 室温~40℃?工作湿度<70%12)安全工作区测试续流二极管?反向电压 12kV(3只串联)?-di/dt 大于2000A/μS?通态电流 1200A?压降 小于1V?浪涌电流 大于20kA?反向恢复时间 小于2μS?工作温度 室温~40℃?工作湿度

以上信息由专业从事封装用IGBT测试仪现货供应的华科智源于2021/6/15 2:33:00发布

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